铌酸锂单晶薄膜
钽酸锂单晶薄膜

300-900纳米,5-50微米

300-900纳米铌酸锂单晶薄膜

300-900纳米 铌酸锂单晶薄膜

顶层器件层

尺寸

3, 4, (6) 英寸

切向

X, Z, Y切等

材料

铌酸锂

厚度

300-900 纳米

掺杂(可选)

掺镁

 

 

埋层

材料

二氧化硅

厚度

1000-4000 纳米

基底

材料

硅、铌酸锂、石英、熔融石英等

厚度

400-500 微米

电极层(可选)

材料

铂金,金,铬

厚度

100-400 纳米

位置

在顶层器件层与埋层之间或埋层与基底之间

应用方向:

 

· 光纤通讯       · PPLN   

· 非线性光学    · 探测器  

· 铁电存储       · XBAR®   

 

300-900nm 铌酸锂单晶薄膜

品描述:

薄膜用来制作高速电光调制器、高性能声波滤波器等高性能器件,应用于数据中心、长距离数据传输、手机、基站等。

 

铌酸锂薄膜调制器优势:
体积小,稳定性好,带宽大,传输速率高,功耗低,CMOS 驱动电压兼容,可实现光集成。

 

X-BAR®铌酸锂薄膜滤波器优势:
K2>25%,大带宽(N77,N78,N79);高频;温度稳定性好,可靠性高;散热好。

 

满足下一代无线网络所需的高带宽、高频射频市场

300-900nm 钽酸锂单晶薄膜

品描述:

产品可应用于高性能滤波器,应用于手机及无线通信领域。

 

薄膜滤波器的Q值高,插入损耗低,陡直度好; Fs稳定性好,Ke2>10%, TCF小(0~±8 ppm/℃);散热性好;制造成本低。

 

5um-50um LN/LT单晶薄膜

品描述:

温度补偿声表面波滤波器,能够更好的抑制温度的漂移,更容易加工。

20-60μm超薄钽酸锂晶片

品描述:

热释电气体探测器、热释电火焰探测器。超薄的LT薄膜片制作的传感器,灵敏度高。

 

300-900纳米钽酸锂单晶薄膜

300-900 纳米 钽酸锂单晶薄膜

顶层器件层

尺寸

3, 4, 6 英寸

切向

 Y-42, Y-46.3, Z切等

材料

钽酸锂

厚度

300-900 纳米

埋层

材料

二氧化硅

厚度

300-4000 纳米

基底

材料

厚度

400-500 微米

应用方向:

 

· 声表面波滤波器       

· 高Q值、大带宽 、温度补偿

 

 

5-50微米硅基钽酸锂、铌酸锂薄膜

5-50微米 硅基钽酸锂、铌酸锂薄膜

顶层器件层

尺寸

3, 4, 6 英寸

切向

X, Z, Y-42, Y-46.3切等

材料

钽酸锂、铌酸锂等

厚度

5-50 微米

基底

材料

厚度

230-500 微米

应用方向:

 

· 声光调制器         

· TC-SAW   

   

 

自支持超薄晶片、超平晶片

自支持超薄、超平晶片

尺寸

3, 4 英寸

切向

X, Y, Z切等

厚度

10-60 微米

材料

铌酸锂、钽酸锂、硅等

表面

双抛或单抛

 

 

应用方向:

 

· 热释电红外探测器       

· 太赫兹源和探测器 

 

 

特殊定制薄膜

特殊定制铌酸锂、钽酸锂薄膜

顶层/ 详情

基底层

顶层薄膜层

多层结构

图形电极&波导结构

异质材料 (二氧化硅/, 蓝宝石, 石英等)

周期性极化反转铌酸锂PPLN

特殊尺寸

电极 (, 铂金, 铬, 铝等)

切向 (与体材料相同 )

掺杂 (, , , 铥等)

100-1000 纳米

铌酸锂

100-1500 纳米 

钽酸锂

 

5-50 微米

铌酸锂

 

 

 

 

5-50 微米

钽酸锂