我们专业致力于光电、压电

晶体薄膜系列产品
提供专业代工服务

离子注入服务

注入能量

35-400KeV

尺寸 

2、3、4、6英寸

束流

<1mA

注入离子种类

H+,H2+,H3+, He+, Ar+

技术指标:

晶片减薄服务

材质

铌酸锂、钽酸锂、

硅等

尺寸

3/4/6 inch

厚度

20~1000μm

TTV

<1μm

Ra

<0.15μm

技术指标:

PECVD沉积服务

晶片尺寸

3-6英寸晶圆片

沉积厚度

0.5μm-5μm

TTV

<±5%

技术指标:

CMP晶圆抛光服务

晶片尺寸

3~6英寸

材质

铌酸锂、钽酸锂、硅、氧化硅等

Ra

<0.5nm

TTV

<±3%

技术指标:

晶片切割代工服务

晶片尺寸

最大可加工6英寸晶圆片

可加工材质

各种半导体晶圆,电子零件

技术指标: