硅片的热氧化层具有更高的均匀性和更高的介电强度。在众多硅基器件中，热氧化物层在作为掺杂阻止层和表面电介质方面起着重要作用。现有设备可以满足从10nm-8um，四寸产能每炉100片，均匀性在2%以下已应用到2期产线。
LPCVD system（低压力化学气相沉积系统），涵盖工艺包括∶LTO（二氧化硅）、PSG（磷硅玻璃）、SIPOS（半绝缘多晶硅）、POLY（多晶硅）、SI3N4（氮化硅）、TEOS等。现有设备可以进行POLY和TEOS，产能每管100片，均匀性±5%以内，设备月产能可以达到9000片

       大束流、高效率的量产离子注入设备已经投入生产，实现了核心设备的国产化，部分性能超过进口设备；已应用到2期产线。
注入机加速电压控制离子能量和深度，电扫描或机械扫描保证精度，片内非常均匀；薄膜分离后厚度变化约5nm。

LN/LT薄膜量产型离子注入设备