铌酸锂单晶薄膜
钽酸锂单晶薄膜

300-900纳米,5-50微米

铌酸锂薄膜调制器优势:

 

体积小,稳定性好,带宽大,传输速率高,功耗低,CMOS 驱动电压兼容,可实现光集成。

 

 

X-BAR®铌酸锂薄膜滤波器优势:
K2>25%,大带宽(N77,N78,N79);高频;温度稳定性好,可靠性高;散热好。

 

满足下一代无线网络所需的高带宽、高频射频市场

薄膜用来制作高速电光调制器、高性能声波滤波器等高性能器件,应用于数据中心、长距离数据传输、手机、基站等。

300-900nm 铌酸锂单晶薄膜

Si Substrate

5μm-50μm 铌酸锂/钽酸锂单晶薄膜

 

温度补偿声表面波滤波器,能够更好的抑制温度的漂移,更容易加工。

温度补偿声表面波滤波器,能够更好的抑制温度的漂移,更容易加工。

5μm-50μm 铌酸锂/钽酸锂单晶薄膜

20-60μm超薄钽酸锂晶片

 

热释电气体探测器、热释电火焰探测器。超薄的LT薄膜片制作的传感器,灵敏度高。

热释电气体探测器、热释电火焰探测器。超薄的LT薄膜片制作的传感器,灵敏度高。

20-60μm超薄钽酸锂晶片

300-900nm 钽酸锂单晶薄膜优势:

 

薄膜滤波器的Q值高,插入损耗低,陡直度好; Fs稳定性好,Ke2>10%, TCF小(0~±8 ppm/℃);散热性好;制造成本低。

产品可应用于高性能滤波器,应用于手机及无线通信领域。

300-900nm 钽酸锂单晶薄膜