铌酸锂单晶薄膜
钽酸锂单晶薄膜
300-900纳米,5-50微米
铌酸锂薄膜调制器优势:
体积小,稳定性好,带宽大,传输速率高,功耗低,CMOS 驱动电压兼容,可实现光集成。
X-BAR®铌酸锂薄膜滤波器优势:
K2>25%,大带宽(N77,N78,N79);高频;温度稳定性好,可靠性高;散热好。
满足下一代无线网络所需的高带宽、高频射频市场
薄膜用来制作高速电光调制器、高性能声波滤波器等高性能器件,应用于数据中心、长距离数据传输、手机、基站等。
300-900nm 铌酸锂单晶薄膜
Si Substrate
5μm-50μm 铌酸锂/钽酸锂单晶薄膜
温度补偿声表面波滤波器,能够更好的抑制温度的漂移,更容易加工。
温度补偿声表面波滤波器,能够更好的抑制温度的漂移,更容易加工。
5μm-50μm 铌酸锂/钽酸锂单晶薄膜
20-60μm超薄钽酸锂晶片
热释电气体探测器、热释电火焰探测器。超薄的LT薄膜片制作的传感器,灵敏度高。
热释电气体探测器、热释电火焰探测器。超薄的LT薄膜片制作的传感器,灵敏度高。
20-60μm超薄钽酸锂晶片
300-900nm 钽酸锂单晶薄膜优势:
薄膜滤波器的Q值高,插入损耗低,陡直度好; Fs稳定性好,Ke2>10%, TCF小(0~±8 ppm/℃);散热性好;制造成本低。
产品可应用于高性能滤波器,应用于手机及无线通信领域。
300-900nm 钽酸锂单晶薄膜