我们专业致力于光电、压电
晶体薄膜系列产品
提供专业代工服务
晶片减薄服务
技术指标：
材质
铌酸锂、钽酸锂、
硅等
尺寸
3/4/6 inch
厚度
20~1000μm
TTV
＜1μm
Ra
＜0.15μm
PECVD沉积服务
晶片尺寸
3-6英寸晶圆片
沉积厚度
0.5μm-5μm
TTV
＜±5%
技术指标：
CMP晶圆抛光服务
晶片尺寸
3~6英寸
材质
铌酸锂、钽酸锂、硅、氧化硅等
Ra
＜0.5nm
TTV
＜±3%
技术指标：
晶片切割代工服务
晶片尺寸
最大可加工6英寸晶圆片
可加工材质
各种半导体晶圆，电子零件
技术指标：